xuchengyan 发表于 2013-2-26 10:58:11

CE102测试超标


图中所标记部分,裕量还是不足,各位仁兄有什么办法呢,L&N测试曲线基本一样,我的EMI filter方式如图所示,调整X电容效果不明显,甚至会变糟糕,图中曲线是在两个共模电感之间L&N上分别加了加了150uH电感后的测试结果,这只是在Pin=70W是的情况,如果满载下肯定更糟,怎么呢把裕量弄大一点。                     会不是共模电感本身的杂散磁场绕过X电容直接耦合到输入线上造成的呢?

quipert_emc 发表于 2013-2-26 11:35:45


可以看看PCB上的滤波器件布局是否合理。。。

xuchengyan 发表于 2013-2-26 15:09:17


差模电感增加到470uH也是这效果,几乎不怎么变化,不知道增大整流器之后的CBB电容会不会有效果,我现在用的是470nf/630V,下一步换成820nF试验下

xuchengyan 发表于 2013-2-26 15:54:20



在L、N上加了两个150uH电感后,前后对比效果是很大的,确实有效果,我也是考虑是差模噪声,以为加大电感应该会更好点,结果实际测试效果变化不大

桃花岛主 发表于 2013-2-26 22:28:44

滤波设计有点太多,一般最多两级电感就搞定了,你的图参数看不是很清楚,我的一点建议,最前面的Y电容去掉,另外,X电容加大点,用个2uF的,后面的共模电容用4700pF吧,共模电感加大到8mH左右,差模电感150uH够大了。

owen11 发表于 2013-2-27 10:34:54


面对CE这种情况,难道只有对接口滤波这样一条措施吗?PWM芯片电路、变压器等干扰源器件可以做一些措施。

xuchengyan 发表于 2013-2-28 14:32:19


回复 8# owen11

做了很多了,变压器采用夹层绕制(漏感几乎降低一半),在钳位电路相同的情况下,Vds电压从800V降到650V,效果是很明显的;MOS管D极套磁环(对辐射没看出效果来),调整一二次地之间Y电容大小及位置(对辐射有点影响);调整整流桥后的CBB电容(对传导起作用)等

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