T1的繞法，已將寄生電容降到最低（但伴隨的是SPIKE較高，Q承受的應力較大，效率也不好），也沒有內層可以加銅箔隔離
C5為104，屬於去耦作用，並個106試試
MOS換個廠牌型號，也常有驚喜
既然輸入端的共模電感沒有幫助，那X電容加大結果如何？
如果還是無效，那在輸出端加個共模電感試試
mic29 发表于 2013-8-14 09:26
這份原理圖中真正在做SWITCHING的元件只有IC、T1、Q1、Q2
T1的繞法，已將寄生電容降到最低（但伴隨的是S ...
输出是交流3KV左右，不能加共模， 现在在输出加Y电容30PF（几个串联）到整流负极，整体会下降2个多dB,然后改变不同材质和感量的共模，数据500K到1M之间无余量，1M后面没问题，就只有490K，970K，242K这3个频点一点改善都没有。整流后做π滤波无效，整流负极串500uH电感，烧了IC和MOS。再试试mic29兄的建议，把C5加大（取消此电容不开机），换MOS SORRY,請問輸出3KV不能加共模是因為耐壓考量嗎？
可否將共模加在T1前？不然輸出線繞錳鋅CORE可能也有效（機率較低）
其實以這一顆T1的結構來看，我自己是覺得輸出端的可能性不高，但死馬當活馬醫，說不定瞎貓就碰到死耗子，反正想由輸入端改也是老鼠咬龜，無從下嘴
我是希望C5以104//106,而不是單用一顆106 曾经尝试在输出加共模，双线并绕的共模马上就燃了，用分开绕的共模坏机。已试过各位提供的对策，都不理想。IC方案商也没搞定 1. 由EMC FILTER共模電感、差模電感與PI型濾波都無效來看，雜訊路徑不是在輸入端
2. 由IC和MOS的對策無效來看，IC、Q1、Q2也不是信號源
3. 輸出端無法加對策
4. 信號源尚未確定
由以上四點來看，幾可確定雜訊源是T1，而且是二次側線圈，其dv/dt至少高達3000Vx48000HZ
如果taik說的3KV只是DISIGN SPEC，而不是實測結果的話，就必須再加上漏感所造成的SPIKE，最後達5、6KV也不意外
此時即使T1的繞法已經將分佈電容降到最低（也同時令漏感變大），但這個小小的分佈電容遇上這麼大的dv/dt，就會產生令測試FAIL的共模電流
怎麼改？
以taik的能力與自信，不待贅言
小提醒，由組立照片來看，T1雜訊直接BYPASS EMC FILTER的可能性不小
主板改四層板，並轉180度讓SMD面朝下，可能會有幫助，但機構要改，老闆應該不會答應，EMC沒做到DESIGN IN常會在後期出現這樣的結果，而能做到DESIGN IN的也沒幾家 屏蔽过变压器并接初级地，我测试时都没装结构，把输入端与变压器都拉开，测试结果都没变化。这个已经过几个高手整改了，都无招。因是帮忙整改，客户已拿走了样品。
谢谢各位的出谋划策。 先确认一下施共模干扰还是差模干扰。然后在分析。 从原理图上看没有地线，加上有大感量的共模电感，估计公模干扰比较小。主要为差模干扰。差模干扰来源有两个，一是线路上传导过来的干扰很大，二是通过近场耦合过来的。解决对策：增加X电容，在变压器外做屏蔽圈。 您说的这些对策都做过，没改善 楼主你好，0.22+28+0.22的滤波电路个人认为是否有点不合适呢？1M之前主要是差模的干扰，可以试着把两个X电容的容量调到不一样的容量或者去掉其中的一个，可能会帮到你。
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