Guard trace
16. 不同屬性的線路間最好可以放各自的Guard Trace，並以間距6mm的vias連接到各自的參考平面並注意3W原則，否則至少高雜訊電路要有連接至其參考平面的Guard trace
——保护地线，另还有包地，包地建议对关键信号线如强干扰或敏感信号线进行，否则，单板的空间不够，得增加层数，成本上去了，另外，注意包地或保护地线一定要多点打过孔连接至地平面。
17. 兩相鄰分割區若使用不同的參考平面，則最好有各自的Guard trace，不然至少高雜訊電路要有連接至其參考平面的Guard trace
——分割区有保护地线，和分参考接地平面对应。
Moat
18. Moat應避免靠近PCB邊緣，否則PCB邊緣會出現狹長的GND
——壕沟或叫分割吧，尽量不要在PCB边沿，否则就是上面说的，狭长的GND；
19. Moat寬度以50mil為標準，越大越好，避免因雜散電容而降低隔離效果
——一般50mil以上，当然，防雷的或防静电的电路可能还要宽一些，一个是降低分布电容，另一个，高压区和低压区远离；
20. 靠近雜訊源或高雜訊電路的moat應該要加寬
——和上面的差不多，主要是减小相互间干扰。
Bridge
21. 佈線必須跨越分割區時，可在信號線旁加Stitching電容或者細長的地線，並注意需緊靠信號線
——布线跨分割，回流在布线下方中断，此时为减小环路面积，在跨分割处紧邻信号线加电容或者信号跟伴随的地线，这样回流就可控。
mic29 发表于 2013-9-26 15:15
17. 兩相鄰分割區若使用不同的參考平面，則最好有各自的Guard trace，不然至少高雜訊電路要有連接至其參 ...
另外請教各位，20H可降低70％的fringing, 100H才能降低到98％，那請問3W有沒有類似的參考數據呢？
——3W和20H的道理其实是差不多的，为什么要3W，因为信号的回流密度在信号线正下方平面层的一定范围内，3W和20H都是取个最佳效费比，再大肯定好，但是效费比低，3W肯定也在70%以上。
有張ESD GND的照片保留了十幾年一直沒用，前兩天刪掉後，今天就想用了
網上另外找了兩張圖片說明ESD GND的概念，實際的成品就是在PCB外圍上下兩層環繞一整圈的銅箔下機殼地或電源地，以through holes上下連接，一般不上漆（裸銅），以利吸引ESD
ESD GND可視為I/O GND與20H兩個EMC基本觀念的的綜合延伸
找到另外一張圖，綠色區域就是ESD GND了
mic29 发表于 2013-9-30 15:58
找到另外一張圖，綠色區域就是ESD GND了
前辈的意思是，可以在设计中单独设计这种ESD GND，来增强EMS能力？
是的，基本上是針對ESD
有槍，不一定要用，總比想用槍時卻沒槍可用好
另外，槍用的不好，可能會變成自殺
這是CHECK LIST的存在意義
mic29 发表于 2013-10-2 11:14
是的，基本上是針對ESD
有槍，不一定要用，總比想用槍時卻沒槍可用好
所言甚是，风险是存在的，就看我们怎么去评估，再做出相对应的设计，check list是一中理念，但不是一个法规。
分割的第一準則就是儘量不做分割，这句话太经典了！！
桃花岛主 发表于 2013-9-23 23:04
Part 1 分割準則
1. 分割的第一準則就是儘量不做分割，讓VCC、GND層越完整越好，儘量僅在信號層對線路做分 ...
請問島主一個笨問題，IC核電源可用佈線取代分割，這個說法以前看過幾次，但我一直想不懂。
這是因為IC核電源與一般PCB的VCC電壓不同所以要另外給電嗎？但即使是不同電位，為何要選擇佈線，而不是由power island直接拉電？
塑料外殼時以橋連接靜地的目的是什麼？我只想得到以橋的雜散電感抑制噪聲電流，但如果沒有橋的時候，阻抗會更高，抑制效果是不是更好？而且就EMS（如ESD、SURGE）來說，這個橋，可能導致失效。
我的想法是，不論EMI或EMS，也不論是金屬外殼或塑料外殼，I/O GND的設計應該都是無橋勝於有橋。但目前也是止於想想，請島主指教！
桃花岛主 发表于 2013-9-23 23:04
Part 1 分割準則
1. 分割的第一準則就是儘量不做分割，讓VCC、GND層越完整越好，儘量僅在信號層對線路做分 ...
2. Crystal、Oscillator的電源因為一定要做濾波，所以也就一定要做分割，但其GND層不需分割
——主要是避免强干扰的时钟器件干扰传导到电源，一般这个电源都是主3.3V电源，通过滤波就可以，也不一定要分出来；
不分割就無法使用LC濾波，只能用C，這在OSCILLATOR的電源濾波上稍嫌不足。
