sljinlong2012 发表于 2015-7-31 13:13:15

jim_gao 发表于 2015-7-31 10:58
谢谢,我后端通过共模电感后还增加了一个差模TVS,想知道4-20MA保护电路怎样设计才更合理。之前采用过一 ...

在陶瓷和TVS之间加一个自恢复保险丝(IH在50-100MA),这样就可以了。

jim_gao 发表于 2015-7-31 14:03:22

sljinlong2012 发表于 2015-7-31 13:13
在陶瓷和TVS之间加一个自恢复保险丝(IH在50-100MA),这样就可以了。





上个图片是改前的4-20MA保护电路,下个图片现在的保护电路,请问设计有没有问题,哪个更好些。

jim_gao 发表于 2015-7-31 14:10:01

同时还有个问题一直不太清楚,4-20MA做脉冲群和浪涌测试时,我串一指针式电流表观察,电流表指针都会抖动,说明输出信号是受影响的。不知道做4-20MA测试时如何判定它的失效模式,是测试后不损坏就可以,还是测试中信号不能受干扰。如果按实际测试结果看,它的性能判据只能达到B级。希望在此能得到答案。

sljinlong2012 发表于 2015-8-3 08:38:23

1.浪涌测试瞬间后级肯定会受到影响的,因为现有TVS特性还无法完全吸收浪涌能量(VC值会比工作电压高),2.性能判据要根据你客户的需求。3.推荐你使用独立TVS做防护或者使用下图(供电电源功率小于24W或带过流保护)。

jim_gao 发表于 2015-8-3 10:05:30

sljinlong2012 发表于 2015-8-3 08:38
1.浪涌测试瞬间后级肯定会受到影响的,因为现有TVS特性还无法完全吸收浪涌能量(VC值会比工作电压高),2. ...




上图是我最早使用的4-20MA保护电路,但在做脉冲群N(-2KV)和浪涌N,PE(-2KV)时均出现后端电流环芯片损坏情况,后来才改成了前面压敏的保护电路才避免了芯片的损坏。我分析是不是因为共模电感延时时间不够,而TVS比放电管动作快很多,造成TVS先动作,进而使放电管一级保护作用失效,高压直接窜入后级电路,损坏芯片。因此加入PTC能进一步延长后端TVS动作时间,使一级保护电路能可靠动作。这个分析不知对不对。另外,您提供的电路不知是否经过EMC测试,能否通过3级浪涌和脉冲群测试,图中器件对应参数如何选取。

sljinlong2012 发表于 2015-8-3 11:00:11

你分析的基本是对的,我给你提供的电路是经过浪涌测试的,至于脉冲群测试则需要滤波电路的(就像电路中的电容),不过向你这种测试等级不是很高的,直接用3颗TVS加在最前端就可以了。对于你现有电路建议作如下调整:1. 把TVS的位置提前到GDT的后端,并且在两者之间加入PPTC(50MA),2.把TVS的电压更改成26V(变送器前端供电电压比较稳)。

jim_gao 发表于 2015-8-3 14:13:51

sljinlong2012 发表于 2015-8-3 11:00
你分析的基本是对的,我给你提供的电路是经过浪涌测试的,至于脉冲群测试则需要滤波电路的(就像电路中的电 ...

非常感谢sljinlong2012 ,我会按您推荐的方法测试一下。同时还有几个问题请教:

1.如下图是OC门脉冲输出保护电路(输入最大电压24V),因为VECO=7V,所以我只在CE端加了一个单向TVS,当反向输入过压时,TVS会导通并钳位在0.7V左右,进而保护光耦,不知这样设计是否合适?另外是否还要加电容和反向二极管进行保护?我没有做脉冲输出电路的脉冲群和浪涌测试,如果做,当前电路是否可行。


2.如开始我发布的问题中(参照4#),电池供电GND与大地之间需要加累积电荷泄放通道吗?如果需要,是单加电容还是电容电阻一起加(485电路中在GND和大地之间是加的电容和电阻),对于静电和脉冲群测试哪个效果更好?

sljinlong2012 发表于 2015-8-3 15:39:49

1. 可以的(建议在IC+与IC-之间串个保险丝或电阻效果会更好),电容加上,反向二极管就不用了。浪涌要根据测试等级,群脉冲的话我没有测试过,不好下结论。,2.建议电容电阻一起加。

jim_gao 发表于 2015-8-3 16:40:34

sljinlong2012 发表于 2015-8-3 15:39
1. 可以的(建议在IC+与IC-之间串个保险丝或电阻效果会更好),电容加上,反向二极管就不用了。浪涌要根据 ...

再次感谢sljinlong2012和岛主的支持与帮助。
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