请教EMI天线接受原理与近场探头测试原理有什么不同
我在debug EMC问题时，发现375MHz over limit 7dbuV/m；于是用信号分析仪接上近场探头量测25MHz晶振的周边发现。晶振周边GND 375MHz频点能量为-52dbm,整个板子就这里375Mhz辐射能量最高。于是对这里下了好多对策，就是没有任何改善。后来在其它能量不是很大的地方下了对策解决问题的。
因此我有个疑问用信号分析接上近场探头，应该也是感应辐射能量的，能否大致等效EMI天线接受的能量。两者应该都是感应电磁能量，怎么解决问题时的表现不同？ test 一下 这个问题，我来抛砖引玉一下啊：
首先近场探头测试的是近场，用接收机如果你是民品那么至少3米了，也就说和375M相比，你测试的是远场，而根据辐射原理，即便我们抛开实际产品的电磁复杂性，那么远场辐射的能量是比近场远小的 你测试osc附件的当然辐射很强了，375M更像是125的3次谐波，假设你测试的没错，是25的高次谐波，你先把25M的波形实际测试出来，之后FFT一下，得到25M的15次能量，你是能估计出来近场的大致强度的，此外，你在能量很小的地方解决了该问题，也就是说你找到了偶和途径，这个途径一般来说肯定是没有源强的，否则这个板子设计的问题就大了，呵呵。。 解决EMC问题不能孤立看待2个现象，不能迷信蝴蝶效应，看似玄妙的地方必有联系之处，25M打出375M高频，这个我还是保留意见的，我估计是25M进行了PLL了，而后从某个途径带出了375M，所以你在25M上花再多精力，也不一定能搞定问题，相反，一旦做出错误的方向，除带来巨大的工作量外，还有可能增加了成本，呵呵 你可以把问题再说的细一些，看看有没有更好的解决办法，呵呵 谢谢！
起初我在3m实验室用镊子接触25MHz晶振的20PF电容的接地脚，发现375MHz能量由45dbuv上升为62dbuv.这个地与系统GND是分开的，再用镊子接触20PF电容附近的系统GND，发现375MHz能量由45dbuV上升为55dbuv。初步判断是晶振电容地太脏将Noise耦合到系统GND。但我不太肯定这么强的能量有发射途径，因此使用近场探头量测晶振周围，量测晶振电容GND为-50dbm，其它地方为－55dbm，甚至60dbm
后来。于是我判断干扰源来自晶振周围的GND未处理好。围绕晶振下了一些对策不管用。就在MII_CPU_TX_CLK上加10PF电容将问题解决，可是这个地方用近场探头量测的辐射值不是很大啊。
基于以上我有以下疑问
1.近场探头量测到的干扰源都是透过辐射接受到的，EMI天线也是接受辐射的电磁波；按道理说近场探头发现的最大的源应该也是EMI天线发现的最大的源啊。可是实际表现怎么不太一致？
2.另外我尝试的solution有一个是：在CLK Output脚加Bead,滤除375MHz，可是没有多大效果；疑问中？ 楼主产品有排线什么的么？要寻找辐射带出来的路径才能解决。俺做过一款产品，就是排线接触到Shielding辐射出来的。你这晶振下方是不是也是干净的？
确定你近场和远场是一个状态下扫描的，探圈寻找源的时候一定要保持辐射测试的状态，周边、机构件都是会有影响的。 回复 7# xiweiling
辐射需要两个要素：
噪声源
“天线”
如果光是有较强的噪声源，但是没有馈给一个良好的“天线”，那他是辐射不出去的；
相对应如果源不是十分强，但是噪声馈给了良好的“天线”，他照样能造成辐射超标。
所以近场“热点”不一定是远场辐射的主要根源
电磁兼容辐射发射设计主要就是降噪和控噪：
降噪是从根源上把噪声量级给降下来；
控噪是把噪声控制在一定的区域，不让他扩散馈给天线。 回复 1# xiweiling
首先，近场和远场是不一样的，近场有问题，远场不一定是；其次，对某一问题整改的方法有N多种，只能说你的措施是其中的一种；近场测试只是一种故障诊断的手段。
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