TVS二极管相比其它瞬态电压保护装置的优势

1、TVS二极管与齐纳二极管
与传统的齐纳二极管相比，瞬态电压抑制二极管的P/N结面积更大，具有更强的高压承受力和更快的效率，而齐纳二极管也有较高的抑制电压，但散热速度较慢。

2、TVS二极管与多层金属氧化物突波吸收器
瞬态电压抑制二极管与多层金属氧化物突波吸收器最大的不同就是多层金属氧化物突波吸收器的功能会在瞬态电压的冲击下衰退。
当瞬态电压侵袭时，多层金属氧化物突波吸收器的相关参数如漏电流值和中止电压值都会偏离原来的参数而变得不准确。还有多层金属氧化物突波吸收器有较高的阻抗，所以它的抑制电压可达最初中止电压的3倍，这种特性只适合对电压不太感应的线路和元件的保护。

这就是MLV没办法过一些ESD测试！

MLV崩溃电压参数偏离，会导致FET被击坏。

当MLV的崩溃电压参数偏离时，它会不断截止迥路电压而影响FET的正常工作。

3、TVS二极管与陶瓷电容器
陶瓷电容器这类元件对高压的承受能力比较弱，如有10KV的瞬态电压冲击时，会对陶瓷电容器造成约60%的损坏，而瞬态电压抑制能承受到15KV的瞬态电压。在瞬态电压侵袭时所产生的热量，陶瓷电容器也没有办法像瞬态电压抑制二极管那样很有效的把它散去。

4、TVS二极管和离子气体放电管
瞬态电压抑制二极管以抑制电压的方式来达到瞬态电压保护，而离子气体放电管是以铁橇动作的方式来达到瞬态电压保护。离子气体放电管的缺点是在启动后保持在非常低的状态，电压低于负载的正常工作电压。在这种情形下，负载没有办法继续工作，会暂时的关闭。