关于IGBT的EMC问题

各位老师，请教一下关于IGBT对EMC影响的两个问题，如图所示IGBT在关断的瞬间，Vce电压上升所形成的du/dt对IGBT与散热器之间的寄生电容充放电，根据公式I=C*du/dt所形成的共模噪声电流从散热器导入地然后回流至电源端LISN上的50Ω电阻，接收机取50欧姆两端压降测试传导骚扰电压，然后回流至电源线经整流器，然后过母线回流至干扰源IGBT。
问题一：根据上述变频器共模噪声电流回流路径，如果IGBT在导通瞬间，Vce电压为下降沿为-du/dt，那么此时的共模噪声电流环路方向是否和上述相反，那么在此瞬间接收机测得的传导骚扰电压与正向环流有何不同。
问题二：在IGBT导通瞬间，集电极电流Ic为上升沿，那么di/dt，如何形成接收机测得的传导骚扰电压呢？
这两个问题找了好多资料都没有一个明确的答案，在此请教，非常感谢！

我先帮顶一下，容我考虑考虑。

CE测试是以频率为横坐标，所以这个问题要到频域来考虑。
不管是上升沿还是下降沿，如果相同斜率，转换到频域后相同频点的幅值是一样的。
传导测量读取的50ohm上面的电压，这由流经50ohm上的电流决定，同样基于单个频点分析，集电极i的变化曲线取傅立叶变换到频域，每个频点有对应的电流，i变化，频域电流变化，流经50ohm上的电流变化，读取的电压就会变化。

walterP 发表于 2013-12-17 13:30
CE测试是以频率为横坐标，所以这个问题要到频域来考虑。
不管是上升沿还是下降沿，如果相同斜率，转换到频 ...

非常感谢！我还想了解一下是不是di/dt直接转化为以其上升时间决定频带宽度的骚扰电流，还有就是这个骚扰电流的幅值大小由什么决定？

di/dt反应的是电流的变化速率，在时域波形上表现就是斜率，对于时域上i的曲线，如果转化为频域，di/dt越大，则在频域上高频分量越大。在这里集电极电流就是骚扰电流，当集电极电流产生变化时，也就会有di/dt, 这时会有高频分量通过寄生电容到散热片。骚扰电流的幅值大小与di/dt有关，假设i在频点f0的分量幅值大小为A0，在频点f0，骚扰电流流经散热片路径的电流与电路中的阻抗和散热片路径的阻抗有关，就是电路中的分流，哪个路径阻抗低，A0就会更多分配到那个路径。

walterP 发表于 2013-12-17 18:29
di/dt反应的是电流的变化速率，在时域波形上表现就是斜率，对于时域上i的曲线，如果转化为频域，di/dt越大 ...

清楚了！真是受益匪浅啊，请问walterP 老师也是做变频器行业的吗？

请问楼主，IGBT开关瞬间产生的电流脉冲信号应为尖峰衰减震荡信号，你画的是示意图吗？

pinkwon 不簡單，walterP 更厲害

關於問題二，我的想法是di/dt經傅立葉轉換可得各種頻率的高頻諧波電流，這些諧波電流會以IGBT ─ BRIDGE DIODES ─ L/N ─ LISN ─ N/L ─ BRIDGE DIODES ─ IGBT的迴路流動，於是就在LISN的電阻上被偵測到传导骚扰电压

pinkwon 发表于 2013-12-18 11:49
清楚了！真是受益匪浅啊，请问walterP 老师也是做变频器行业的吗？

远远称不上老师，我是做通信EMC的，也是新手一个。