220MHz左右辐射加多大容量的电容合适
如图所示,在229MHz的时候辐射,超标,经过实验初步判断为MCU主频的影响(220MHz),降低主频后超标点同样会降低到主频附近,在VCC上加过电容,会有改善,但还是超标,是电容不对吗?配的电容为1000pf+22pf,超标3DB左右,比以前降低6DB左右,求赐教啊! 为什么用22pf这么小的电容,你们有很高的频率吗?有了1000p,再加个0.1u试试? 注意一下滤波电容的位置,不能有绕过滤波电容的耦合路径 对,位置很重要,还有引线尽量短,封装也很重要,注意esl 0.1uf+1000pf试试怎么样,另注意MCU上的电源尽量每个都加电容。 1.晶振外壳是否接地,没接则接地;
2.VCC串一个在超标点频率范围附近阻抗约600欧的磁珠。 芯片供电电源上每个管脚加一个0.001uf的贴片电容,电源管脚上适当还得加几个0.1uf的贴片电容,芯片下面的PCB的GND布局要合理,其他的就是通讯线不要交叉了 可能可以在VCC加電容完全解決,但必須是在問題只出現在VCC時
如果是CLOCK或其他地方也有問題,而且造成FAIL,就不能由VCC加電容解決
LZ有信心一定是VCC的問題嗎?
mic29 发表于 2014-1-20 10:40
可能可以在VCC加電容完全解決,但必須是在問題只出現在VCC時
如果是CLOCK或其他地方也有問題,而且造成F ...
没有完全的信心,公司仪器有限无法精确定位,只是在在VCC等电源上增加电容后情况得到了改善 zhegexiayu 发表于 2014-1-18 15:20
芯片供电电源上每个管脚加一个0.001uf的贴片电容,电源管脚上适当还得加几个0.1uf的贴片电容,芯片下面的PC ...
定型的东西,只能在上面进行改动
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